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北工大隋曼龄/柯小行中科院储胜启: Ni 单原子负载1T-MoS2的直接合成方法及其在碱性介质整体水分解中的应用
通讯作者:柯小行副教授,储胜启副研究员,隋曼龄教授
论文DOI:10.1002/smll.202107238
合作作者:中国科学院高能物理研究所北京同步辐射装置
北工大隋曼龄教授、柯小行副教授和中国科学院高能物理研究所储胜启副研究员,报道了一种通过有机分子插层直接合成Ni单原子负载1T-MoS2的方法,由此得到的Ni-1T-MoS2在碱性介质中同时具有优异的HER和OER电催化性能。密度泛函理论(DFT)计算表明,Ni在1T-MoS2中的掺杂优化了氢/氧解离能,增强电荷转移,进而加速了水分解动力学。Ni-1T-MoS2作为高效整体水分解催化剂,在 1 M KOH中仅需要1.54V的低电压即能实现10 mA cm-2电流密度。
电催化水分解是一种很有前景的制氢路线,反应包括阴极的析氢反应(HER)和阳极的析氧反应(OER)。为提高水分解效率,设计高效、低成本的电催化剂至关重要。虽然贵金属催化剂(如Pt和RuO2/IrO2)具有较高的催化活性,但贵金属的稀缺和高成本促使研究人员开发高效、稳定、廉价、易制备的电催化剂。二维材料MoS2是一种较为优秀的非贵金属电催化剂,其催化活性与相结构密切相关。稳定性较好的2H相MoS2仅边缘具有催化活性,因二维结构特征,暴露的大部分表面却是催化惰性的,因此催化性能较差。亚稳态的1T相 MoS2具有更好的电子传输能力和更高的电催化析氢活性,却相对难于合成。
(1) 设计了有机分子插层直接合成1T-MoS2的方法,通过加入抗坏血酸,一步法合成了稳定的1T-MoS2,并实现过渡金属单原子的掺杂。
(2) 结合DFT计算,揭示Ni单原子在1T-MoS2中掺杂增强HER的机理
(3) 制作Ni-1T-MoS2 || Ni-1T-MoS2电解槽实现高效整体水分解,在 1 M KOH中仅需要1.54V的低电压即能实现10 mA cm-2电流密度。
首先通过抗坏血酸的加入,通过有机分子插层的方式,实现了1T相MoS2的合成,其形貌为超薄纳米薄片组成的纳米花。XRD,HRTEM,Raman,XPS和 FTIR证明了1T相MoS2以及抗坏血酸的重要作用。
其次,通过在合成过程中调控溶液配比,实现了Ni,Co,Fe在1T-MoS2中的掺杂。通过HER和OER电化学测试,发现1T-MoS2性能优于2H-MoS2,且掺杂能够进一步提高催化性能,其中Ni-1T-MoS2的表现最为优异。
进一步对Ni-1T-MoS2进行了TEM,XRD, XPS和EXAFS结构表征,表明Ni以单原子的形式掺杂于1T-MoS2的晶格中。HRTEM表明Ni-1T-MoS2保持较好的结晶性。Mo 3d的XPS峰向低结合能方向偏移,说明Ni掺杂有利于电子转移。EXAFS进一步得出Ni以+2价存在。进一步调控Ni掺杂的含量,得到0.5Ni-1T-MoS2的HER和OER性能最好。
▲图3:Ni-1T-MoS2的结构表征及掺杂量优化
利用DFT计算探求Ni-优化析氢性能的机理。计算结果表明,Ni掺杂的1T-MoS2有效降低水解能垒,且更利于电荷转移。DOS表明Ni掺杂在其Fermi面具有最高的电荷密度,Ni-1T-MoS2具有最高的电导率,与EIS实验结果一致。
最后,通过制作Ni-1T-MoS2 || Ni-1T-MoS2电解槽进行整体水分解,在1 M KOH中仅需要1.54V的低电压即能实现10 mA cm-2的电流密度,且具有优异的循环稳定性。对HER循环测试后的Ni-1T-MoS2进行了TEM表征,表明Ni-1T-MoS2结晶性略有降低,但仍能保持二维片层结构和纳米花形貌。
我们的工作提出了一种易于合成1T-MoS2的方法,通过抗坏血酸的加入在200°C的低温下一步合成1T相MoS2。研究揭示了抗坏血酸的有机插层对合成1T相MoS2的关键作用。在一步法中实现Ni掺杂,进一步提高了其在碱性介质中的HER/OER性能。结构研究表明,Ni在1T-MoS2中以单原子的形式存在,并通过DFT计算揭示性能优化机理。该Ni-1T-MoS2作为一种优秀的双功能整体水分解催化剂,在1 M KOH中仅需要1.54V的低电压即能实现10 mA cm-2的电流密度。本工作表明基于该方法合成/调控的1T-MoS2在碱性介质中作为高性能电催化剂用于整体水分解的可能性,助力更多1T-MoS2相关异质结的设计和能源器件的研究。
https://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/smll.202107238
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