研究人员已经发现，数据记录功耗可以大幅度降低。
日本东北大学的研究人员与国立先进工业科学与技术研究所（AIST）和汉阳大学合作开发了一种新的相变材料，其电特性与传统材料不同。这种新材料允许大幅度降低非易失性随机存取存储器中的数据记录功耗。
相变随机存取存储器PCRAM作为下一代实用非易失性存储器，已经引起了人们的关注。PCRAM不仅可以代替闪存，而且可以用于存储级存储器，可以减小DRAM和闪存之间的延迟差异。
PCRAM操作的原理依赖于相变材料中高电阻非晶态和低电阻晶态之间电阻的变化。
众所周知，Ge-Sb-Te（GST）可作为用于PCRAM应用的相变材料。GST虽然可以高速运行，但在高温（〜85ºC）下数据难以保留，而且需要大量的数据记录功能
这种新开发的相变材料Cr2Ge2Te6呈现从低电阻非晶态到高电阻晶态的逆电阻变化。研究人员证明，与使用传统的GST存储单元相比，Cr2Ge2Te6可以实现数据记录功耗降低90 %以上。
同时，发现Cr2Ge2Te6与传统材料相比具有更快的操作速度（大约30 ns）和更高的数据保持特性（即使在温度超过10°C的情况下）。进一步表明，与其他报道材料的相比，Cr2Ge2Te6可以权衡好数据保留和操作速度之间的关系。
研究人员认为，对于PCRAM的应用，具有反向电阻变化性质的Cr2Ge2Te6是一个突破性材料，其具有低运行能量，高数据保持率和快速运行速度的特点。
这项工作得到了日本 – 韩国基础科学合作计划下的KAKENHI（拨款号15H04113和17J02967），JSPS和KPFK的支持。也得到了加藤科学促进基金会的支持。
原文题目:Ultralow power consumption for data recording
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