前人研究表明,调控半导体表面空穴累积是提升光电催化反应动力学的有效方法。此外,催化剂表面的吸附质-吸附质相互作用有助于降低水氧化反应能垒。在光电催化尿素氧化反应中,半导体表面捕获态空穴与吸附态尿素分子的引力作用有望削弱C−N键、提升尿素氧化动力学。然而,定量这种吸附质-吸附质相互作用对其反应动力学的影响具有重大挑战。
近日,中国科学院化学研究所章宇超团队以NiO修饰的n-Si为模型光阳极,系统研究了半导体表面吸附质-吸附质相互作用对尿素氧化动力学的影响。



Kun Dang, Lei Wu, Siqin Liu, Shenlong Zhao, Yuchao Zhang, Jincai Zhao
Angewandte Chemie International Edition
DOI: 10.1002/anie.202423457