此外，钙钛矿较低的形成能和溶液加工过程不可避免地导致在钙钛矿层的体内和界面上形成大量缺陷。这些缺陷可作为非辐射复合中心，严重阻碍载流子的传输。这最终导致开路电压（VOC）大幅下降，尤其在钙钛矿与富勒烯电子传输层（ETL）之间的界面处尤为严重。要实现高效稳定的钙钛矿太阳能电池（PSCs），钝化这些缺陷至关重要。为应对这些挑战，人们设计了多种策略，包括组分调整、采用低维钙钛矿优化界面等。然而，多数方法都依赖于溶液旋涂工艺，不适合处理绒面，且与大面积制备工艺不兼容。原子层沉积（ALD）作为一种高效沉积大面积薄膜的方法已得到广泛验证。在有机发光二极管（OLED），硅太阳电池和薄膜太阳电池等领域都得到广泛应用。在钙钛矿层表面和传输层界面处，通过ALD沉积氧化铝已被证明能有效提高PSCs的性能，但这些氧化铝层的工作机制和功能仍不清楚。

近期，中科院上海高等研究院鲁林峰&冀晓霏团队&香港城市大学Alex Jen &付强团队合作发展了一种简便、高效的策略，采用ALD技术在顶界面沉积AlOx来精确调节钙钛矿。研究发现，Al³⁺离子渗入钙钛矿层并与卤素离子相互作用。这种处理方法不仅有助于改善界面能级匹配，抑制离子迁移，还可以钝化钙钛矿表面及晶界处缺陷，降低界面能量损失。此外，这种致密夹层的自封装效应可以抑制高温下的挥发性离子溢出，提高光照和加热稳定性。最终，ALD-AlOx修饰后可将宽带隙PSCs的能量转换效率显著提高到21.80%，且光热稳定性得到明显改善。更重要的是，AlOx改性后的钙钛矿/晶硅TSC的能量转换效率达到28.50%。基于AlOx修饰的1.55-eV PSC及其模组效率也分别达到了25.08%（0.04 cm²）和21.01%（15.5 cm²），证明了该策略的普适性。