近些年来，氮杂环硼取代基(NHBs)，由于其强的σ给电子能力广泛应用于合成主族及过渡金属配合物。然而NHB稳定的低价态14族化合物仍然非常少，因为NHB阴离子是强还原剂并且易于进行电子转移，导致14族化合物很难合成。南开大学崔春明教授课题组一直致力于有机硅多重键的研究。近日，该课题组报道合成了首例NHB稳定的二硅炔化合物，并首次实现了二硅炔对惰性C-H键以及氢气的活化。

基于课题组以前的工作，首先研究了氮杂环硅宾与三溴化硼反应，发现该反应可以高效生成氮杂环硼基取代的硅的三溴化物NHBSiBr₃ (NHB = [ArN(CMe)₂NAr]B) （1），从而避免了使用高还原性的硼基负离子。在乙醚中及-40℃条件下，使用三当量的金属锂还原化合物1，选择性形成了二硅炔2。作者对2的晶体结构分析发现：两个NHB环几乎与B-Si-B平面共面，这些结构特征表明Si≡Si键和NHB环之间存在电子离域，其中理论计算也验证这一结论，表明硼基配体对Si-Si多重建具有很好的稳定化作用。化合物2具有很好的热稳定性，可以在惰性气氛下长期放置。