近期，河北师范大学张怀玉副教授和美国北卡罗莱纳大学格林斯伯勒分校莫亦荣教授，利用块定域化波函数（BLW）和价键自洽场（VBSCF）方法，通过逐步定域电子，借助几何构型和离域能分析，探究了-SH取代基平面化及其所引起的“推拉”效应对双硼分子(CAAC)₂B₂(SH)₂单三重态的影响。

计算表明，-SH取代基平面化可以使得(CAAC)₂B₂(SH)₂单三重态能级差明显降低（图1）。-SH取代基为π供电子基团，而CAAC配体为π吸电子基团。因此，-SH取代基平面化使得双硼分子(CAAC)₂B₂(SH)₂中存在π电子“推拉”效应。基于几何结构和离域能分析发现，-SH取代基中的孤对电子排斥会增强B=B中心与CAACs卡宾之间的离域效应；而-SH取代基中孤对电子的离域作用会使得B-B键进一步变长。另外，基于VBSCF计算发现，(CAAC)₂B₂(SH)₂中的“推拉”通道主要分别存在于两个(CAAC)B(SH)片段中（图2）。